Миру представлены новейшие 22нм SRAM-модули памяти
Вчера IBM, AMD, Freescale и Toshiba при сотрудничестве совместно с американским колледжем наноисследований и инжиниринга сообщили об успехе в области разработки сверхкомпактных модулей памяти SRAM (static random access memory). Данные чипы памяти впервые были созданы при использовании 22нм технологического процесса.
Новые модули памяти были созданы в лабораториях корпорации IBM на базе кремниевых подложек в 300нм со значительно более плотным 3-х мерным размещением ячеек. Отмечается то, что образцы вовсе не являются просто прототипами, а вполне работоспособны.
Памят обладет высокой производительностью, что при размере всего в 22нм позволяет использовать ее в самых сложных электронных устройствах, таких как микропроцессоры. Для сравнения приведем несколько технических особенностей: одна базовая ячейка 22нм памяти содержит шесть нанотранзисторов, которые занимают площадь всего в 0,1кв.нм. Толщина одного такого нанотранзистора в 80 000 раз тоньше человеческого волоса.
Ведущий руководитель нью-йоркской исследовательской лаборатории IBM и, по совместительству, вице-президент колледжа наноисследований доктор Т.С.Чен. сообщил, что сейчас альянс компаний работает на грани имеющихся на текущий момент технологий и разрабатывает образцы, которые в дальнейшем станут стандартом для развития микроэлектроники.
Сегодня основной технологией построения микроэлектронных устройств является 45нм технология. Лишь в 2010 году крупнейшие производители намерены перейти на 32нм технологический процесс при использовании транзисторов на основе патентованной технологии high-K metal gate, которая уже сейчас была задействована в SRAM-чипах. Дата перехода на 22нм в качестве массового производства пока вообще неизвестна.
"Как правило, плотность чипов SRAM повышается за счет уменьшения размеров базовых элементов чипов - ячеек. В случае с новыми уменьшенными ячейками удалось добиться не только их уменьшения, но и нового более плотного размещения относительно друг друга", - сообщили представители IBM.
